周琦-电子科技大学副教授

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      周琦，男，电子科技大学副教授、博士。2012年毕业于香港科技大学获博士学位，同年加入电子科技大学微电子与固体电子学院。2015年，周琦任电子科技大学副教授；2017年，被聘为电子科技大学“百人计划”特聘研究员。2020年，周琦任电子科技大学集成电路科学与工程学院教授、博导。专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓（GaN）功率器件新结构、模型u002F器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。

      周琦开发出一款硅基GaN（GaN-on-Si）栅控横向功率整流器新结构，器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。他还开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术，利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件性能达到国际领先水平。

      周琦的研究成果发表于行业顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》《IEEE Trans. on Electron Devices》《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。他已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文43篇。

      周琦的研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中国科学院院士郝跃教授的综述性文章作为高压 InAlNu002FGaN HEMT的代表性工作所引用。

      周琦参加国际重要学术会议15次，邀请报告1次，口头报告4次。申请中国发明专利5项。被IEEE-TED和IEEE-EDL评为2013及2014年度金牌审稿人(Golden Reviewers)。