mosfet工作原理(什么是场效应管啊)
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mosfet工作原理
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MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
MOSFET简称金氧半场效，是具有MOS结构的场效应晶体管，可以广泛使用在模拟电路。金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）是绝缘栅场效应晶体管的一种形式，以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。FET用作具有两个触点的导电半导体通道-源极和漏极。GATE结可以被理解为作为MOS结构的2电路，该MOS结构用作整流反向偏置模式。通常，在经典工作情况下，GATE阻抗较高。在硅基MOSFET中，GATE端子通常由特定的SiO2层绝缘。导电通道的电荷载流子产生相反的电荷，在这种情况下，n通道为e型p型衬底，p通道为n型衬底空穴。这将通过在GATE端子上施加电压在硅绝缘体边缘的半导体中感应到。e-将进入和离开n 源极和漏极端子的通道，此通道为n通道金属氧化物半导体场效应晶体管。
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压的原理？
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。MOSFET关闭的时候这些储能元件要么和原来的输入叠加形成升压电路，要么独自输出形成降压电路。（这里只是举例，还有升降压电路不讨论了。） 你可以理解为，MOSFET打开的时间越长，电感和电容中储存的能量越高，可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短，储能元件中能量约小，形成的输出也就越低。 这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路，都是最基本的。什么是场效应管啊
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。场效应三极管的型号命名方法
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
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