pmos饱和条件vgs与vds关系(nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压)

本文目录：

1、pmos饱和条件vgs与vds关系 2、nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压 3、nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压

pmos饱和条件vgs与vds关系

 最佳答案：

      PMOS饱和条件下的VGS与VDS关系为：VGS≥VS-VB，其中VGS是栅极相对于源极的电压，VS是源极电压，VB是体效应电压。

      PMOS晶体管的工作原理基于场效应原理，即通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。在饱和区，VGS大于源极电压减去体效应电压，即VGS≥VS-VB。此时，沟道已经完全形成，漏极和源极之间的电流不再随着VGS的增加而增加。在这种情况下，PMOS晶体管的电流主要受到VDS的控制。在非饱和区，VDS小于体效应电压，即VDSVB。此时，沟道的电场分布不均匀，导致电流饱和。PMOS晶体管进入饱和区的条件是VGS≥VS-VB。在饱和区，漏极和源极之间的电流不再随着VGS的增加而增加，而是受到VDS的控制。此时，PMOS晶体管的电流可以表示为：I = (1/2) ? μn ? Cox ? (W/L) ? (VGS - Vth)^2 ? (1 λ ? VDS)，其中，I是漏极电流，μn是电子迁移率，Cox是栅氧，W是晶体管的宽度，L是晶体管的长度，VGS是栅源电压，Vth是阈值电压，λ是沟道长度调制，VDS是漏源电压。

nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压

因为每一个 MOSFET都要 Vg > Vt 才可以导通的。因此，传输门会有两个 MOSFET (PMOS与 NMOS)，以此就可以解决此问题。
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压

因为每一个 MOSFET 都要 Vg > Vt 才能导通。因此，传输门会有两个 MOSFET (PMOS 与 NMOS)，以解决此问题。